BAND GAP LÀ GÌ

     

Việc thắt chặt các tiêu chuẩn chỉnh công nghiệp cùng những biến đổi trong những quy định của cơ quan chỉ đạo của chính phủ là hễ lực chính của tác dụng năng lượng cao hơn. Ví dụ, các trung tâm tài liệu đang phát triển theo cấp số nhân để đáp ứng nhu cầu nhu cầu. Chúng ta sử dụng khoảng 3% tổng nguồn cung cấp của thế giới điện (400 kWh) cùng 2% tổng lượng phạt thải khí bên kính. Những khí thải carbon của ngành công nghiệp mặt hàng không cũng gần như giống nhau. Cùng với nhu cầu rất lớn về năng lượng, những chính bao phủ đang áp dụng các tiêu chuẩn khắt khe hơn và biện pháp cai quản mới để bảo đảm rằng toàn bộ các sản phẩm năng lượng phụ thuộc vào vào yêu thương cầu hiệu quả năng lượng cao nhất.

Bạn đang xem: Band gap là gì

Bạn sẽ xem: Band gap là gì

Đồng thời, bọn họ thấy sự quan trọng của tỷ lệ năng lượng cao hơn và không gian bé dại hơn. Xe năng lượng điện đang cố gắng để bớt cân và cải thiện hiệu trái năng lượng, vì chưng đó cung ứng khả năng dịch rời khoảng cách dài hơn sau mỗi lần sạc. On-board pin sạc (OBCs) và thay đổi tần kéo hiện đang sử dụng bandgap rộng (WBG) thành phầm để đạt được mục tiêu này.

Silicon Carbide(SiC) và gallium nitride(GaN) là vật liệu bandgap rộng cung ứng nền tảng cho những thiết bị điện nắm hệ tiếp theo. đối với silic, SiC cùng GaN yên cầu ba lần năng lượng hơn để được cho phép các electron để bắt đầu di chuyển tự do thoải mái trong trang bị liệu. Vì thế nó gồm tính chất tốt hơn và gia sản hơn silicon.

Xem thêm: Cách Chọn Mua Tai Nghe Có Mic Học Tiếng Anh Trực Tuyến Chuẩn Nhất

Silicon carbide điốt được sử dụng rộng rãi trong hàng loạt các kết cấu liên kết PFC nơi hiệu quả năng lượng là rất quan trọng. Nó cũng tiện lợi để cách xử trí nhiễu năng lượng điện từ (EMI) do tốc độ phục hồi ngược lại rất là nhanh nệm của nó. Mở phân phối dẫn có một đội hình hoàn hảo 650 V và 1200 điốt V SiC bao hàm tất cả những dãy công suất cho những ứng dụng solo pha và đa giai đoạn. Đồng thời, cửa hàng chúng tôi sẽ reviews 1200 V MOSFET sau đây trong năm 2018, nhưng sẽ cung ứng hiệu suất cao nhất và độ chắc chắn tuyệt vời với độ tin cẩn cao. Nó cung cấp một cấu tạo chấm dứt cấp bằng bản quyền sáng tạo để bảo đảm an toàn tốt nhất-trong-class độ chắc chắn là và không có những thất bại liên quan do độ ẩm.


*

GaN hiện thời ngày càng được gật đầu đồng ý bởi thị trường. Đã có khá nhiều lần lặp kỹ thuật, từ bỏ “D-Mode” để cascode, và hiện nay cuối thuộc “E-Mode” (thường đóng) thiết bị. GaN là một trong thiết bị cực nhanh mà yên cầu sự tập trung vào sắp xếp PCB và tối ưu hóa ổ đĩa cổng. Tiến sỹ Sharka, một đốc công nghệ của Hạ Môn Powerway cải thiện Material Co, Ltd chia sẻ với cửa hàng chúng tôi nói rằng sự khác nhau lớn thân GaN D-Mode và GaN E-Mode từ góc độ epi wafer là ở nhì điểm: cơ cấu tổ chức rào cản khác nhau, giá chỉ trị tiêu biểu vượt trội của D-HEMT là AlGaN dày 21nm với Al thành phần 25%, trong khi E-HEMT là AlGaN dày 18nm với Al nhân tố 18%, với điểm không giống là có phường GaN lớp E-HEMT cho cạn kiệt 2DEG.

Xem thêm: Tocopherol Là Gì Có Tác Dụng Gì Trong Mỹ Phẩm Và Làm Đẹp, Tocopherol Có Tác Dụng Gì

Về Hạ Môn Powerway nâng cao Material Co, Ltd

Tìm thấy trong những năm 1990, Hạ Môn Powerway nâng cấp Material Co, Ltd (PAM-Hạ Môn), Một đơn vị sản xuất bậc nhất về vật tư bán dẫn bandgap Wide (WBG) sống Trung Quốc, vận động kinh doanh tương quan đến GaN liệu quấn GaN hóa học nền, GaN epi tấm cùng SiC liệu bao hàm SiC chất nền với SiC epi wafer.

Từ khóa: bandgap rộng, vật liệu bandgap rộng, bán dẫn bandgap rộng, Sic bandgap rộng

Để hiểu biết thêm thông tin, vui mừng truy cập trang web của chúng tôi: https://www.bulongvietlong.com,